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HIT太阳电池
HIT太阳电池结合晶体硅太阳电池和硅基薄膜太阳电池的优点：①结构对称，正反面受光照后都能发电，可做成双面电池组件。②由于采用硅基薄膜形成p-n结，因而最高工艺温度是非晶硅薄膜的形成温度（约200℃），因此可实现低温制备，低温工艺节约能源，同时可使硅片的热损伤和变形减小，可使用薄型硅片做衬底，有利于降低材料成本。③开路电压高。HIT电池由于在晶体硅和掺杂薄膜硅之间插入本征薄膜i-a-Si:H，能有效钝化晶体硅表面的缺陷，因而HIT电池的开路电压比常规电池要高，从而获得较高的光电转换效率。④温度特性好。由于HIT电池结构中的非晶硅薄膜/晶体硅异质结，其温度特性更为优异，温度系数为-0.25%/℃，仅为晶体硅电池的温度系数（-0.45%/℃）的一半左右，使得HIT电池在光照升温情况下比常规电池具有更好的输出。但是HIT电池也存在一些缺点：①设备投资高。由于采用了薄膜沉积的技术，需要用到高真空设备。②工艺要求严格。要获得低界面态的非晶硅/晶体硅界面，对工艺环境和操作要求也较高。③需要低温组件封装工艺。由于HIT电池的低温工艺特性，不能采取传统晶体硅电池的后续高温封装工艺，需要开发适宜的低温封装工艺。
